Diffuse x-ray scattering from stacking faults in a-plane GaN epitaxiallayers
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10103778" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10103778 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://prb.aps.org/abstract/PRB/v84/i9/e094113" target="_blank" >http://prb.aps.org/abstract/PRB/v84/i9/e094113</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.094113" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.84.094113</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Diffuse x-ray scattering from stacking faults in a-plane GaN epitaxiallayers
Popis výsledku v původním jazyce
Diffuse x-ray scattering from various types of stacking faults in basal (0001) planes in a-oriented wurtzite GaN epitaxial layers is described theoretically and the calculated intensity distributions are compared with experimental data. From the comparison, the densities of stacking faults in a series of a-GaN samples were determined. The method makes it possible to discriminate the diffuse scattering from stacking faults from the influence of nonplanar defects like dislocations.
Název v anglickém jazyce
Diffuse x-ray scattering from stacking faults in a-plane GaN epitaxiallayers
Popis výsledku anglicky
Diffuse x-ray scattering from various types of stacking faults in basal (0001) planes in a-oriented wurtzite GaN epitaxial layers is described theoretically and the calculated intensity distributions are compared with experimental data. From the comparison, the densities of stacking faults in a series of a-GaN samples were determined. The method makes it possible to discriminate the diffuse scattering from stacking faults from the influence of nonplanar defects like dislocations.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
ISSN
1098-0121
e-ISSN
—
Svazek periodika
84
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
1-8
Kód UT WoS článku
000295161900001
EID výsledku v databázi Scopus
—