Observation of individual stacking faults in GaN microcrystals by x-ray nanodiffraction

Kód výsledku v IS VaVaI

RIV/00216208:11320/17:10363418 - isvavai.cz

Výsledek na webu

http://dx.doi.org/10.1063/1.4978870

DOI - Digital Object Identifier

10.1063/1.4978870

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Observation of individual stacking faults in GaN microcrystals by x-ray nanodiffraction

Popis výsledku v původním jazyce

X-ray nanodiffraction was used for the investigation of basal stacking faults in a-GaN microcrystallites. The method made it possible to find the positions of individual stacking faults in a chosen crystallite, and the resulting positions were compared with the observation of individual faults by electron channeling contrast in scanning electron microscopy. The x-ray diffraction data revealed that the faults occur in closely positioned pairs; the stacking faults in a pair have opposite displacement vectors. Published by AIP Publishing.

Název v anglickém jazyce

Observation of individual stacking faults in GaN microcrystals by x-ray nanodiffraction

Popis výsledku anglicky

X-ray nanodiffraction was used for the investigation of basal stacking faults in a-GaN microcrystallites. The method made it possible to find the positions of individual stacking faults in a chosen crystallite, and the resulting positions were compared with the observation of individual faults by electron channeling contrast in scanning electron microscopy. The x-ray diffraction data revealed that the faults occur in closely positioned pairs; the stacking faults in a pair have opposite displacement vectors. Published by AIP Publishing.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

110

Číslo periodika v rámci svazku

12

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000397872000017

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85016138619