Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10104850" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10104850 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/101" target="_blank" >http://www.nanoscalereslett.com/content/6/1/101</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-101" target="_blank" >10.1186/1556-276X-6-101</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device
Popis výsledku v původním jazyce
We have investigated the polarization-resolved photoluminescence (PL) in an asymmetric n-type GaAs/AlAs/GaAlAs resonant tunneling diode under magnetic field parallel to the tunnel current. The quantum well (QW) PL presents strong circular polarization (values up to -70% at 19 T). The optical emission from GaAs contact layers shows evidence of highly spin-polarized two-dimensional electron and hole gases which affects the spin polarization of carriers in the QW. However, the circular polarization degreein the QW also depends on various other parameters, including the g-factors of the different layers, the density of carriers along the structure, and the Zeeman and Rashba effects.
Název v anglickém jazyce
Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device
Popis výsledku anglicky
We have investigated the polarization-resolved photoluminescence (PL) in an asymmetric n-type GaAs/AlAs/GaAlAs resonant tunneling diode under magnetic field parallel to the tunnel current. The quantum well (QW) PL presents strong circular polarization (values up to -70% at 19 T). The optical emission from GaAs contact layers shows evidence of highly spin-polarized two-dimensional electron and hole gases which affects the spin polarization of carriers in the QW. However, the circular polarization degreein the QW also depends on various other parameters, including the g-factors of the different layers, the density of carriers along the structure, and the Zeeman and Rashba effects.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanoscale Research Letters
ISSN
1931-7573
e-ISSN
—
Svazek periodika
6
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
101, 1-7
Kód UT WoS článku
000289104200080
EID výsledku v databázi Scopus
—