Hole spin injection from a GaMnAs layer into GaAs-AlAs-InGaAs resonant tunneling diodes

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F16%3A10328948" target="_blank" >RIV/00216208:11320/16:10328948 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/49/16/165104" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/49/16/165104</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/49/16/165104" target="_blank" >10.1088/0022-3727/49/16/165104</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Hole spin injection from a GaMnAs layer into GaAs-AlAs-InGaAs resonant tunneling diodes

Popis výsledku v původním jazyce

We have investigated the polarization-resolved electroluminescence (EL) of a p-i-n GaAs/AlAs/InGaAs resonant tunneling diode (RTD) containing a GaMnAs (x = 5%) spin injector under high magnetic fields. We demonstrate that under hole resonant tunneling condition, the GaMnAs contact acts as an efficient spin-polarized source for holes tunneling through the device. Polarization degrees up to 80% were observed in the device around the hole resonance at 2 K under 15 T. Our results could be valuable for improving the hole-spin injection in GaMnAs-based spintronic devices.

Název v anglickém jazyce

Hole spin injection from a GaMnAs layer into GaAs-AlAs-InGaAs resonant tunneling diodes

Popis výsledku anglicky

We have investigated the polarization-resolved electroluminescence (EL) of a p-i-n GaAs/AlAs/InGaAs resonant tunneling diode (RTD) containing a GaMnAs (x = 5%) spin injector under high magnetic fields. We demonstrate that under hole resonant tunneling condition, the GaMnAs contact acts as an efficient spin-polarized source for holes tunneling through the device. Polarization degrees up to 80% were observed in the device around the hole resonance at 2 K under 15 T. Our results could be valuable for improving the hole-spin injection in GaMnAs-based spintronic devices.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physics D - Applied Physics

ISSN

0022-3727

e-ISSN

—

Svazek periodika

49

Číslo periodika v rámci svazku

16

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000373622900012

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84963606999