Spin injection from two-dimensional electron and hole gases in resonant tunneling diodes
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10106101" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10106101 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i23/p233507_s1" target="_blank" >http://apl.aip.org/resource/1/applab/v99/i23/p233507_s1</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3668087" target="_blank" >10.1063/1.3668087</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Spin injection from two-dimensional electron and hole gases in resonant tunneling diodes
Popis výsledku v původním jazyce
We have investigated the polarized-resolved photoluminescence from the contact layers and the quantum-well in an n-type GaAs/GaAlAs resonant tunneling diode for magnetic fields up to 19 T. The optical emission from the GaAs contact layers comprises the recombination from highly spinpolarized two-dimensional electron and hole gases with free tunneling carriers. Both the energy position and intensity of this indirect recombination are voltage-dependent and show remarkably abrupt variations near scattering-assisted tunneling resonances. Our results show that these two dimensional gases act as spin-polarized sources for carriers tunneling through the well in resonant tunneling diodes.
Název v anglickém jazyce
Spin injection from two-dimensional electron and hole gases in resonant tunneling diodes
Popis výsledku anglicky
We have investigated the polarized-resolved photoluminescence from the contact layers and the quantum-well in an n-type GaAs/GaAlAs resonant tunneling diode for magnetic fields up to 19 T. The optical emission from the GaAs contact layers comprises the recombination from highly spinpolarized two-dimensional electron and hole gases with free tunneling carriers. Both the energy position and intensity of this indirect recombination are voltage-dependent and show remarkably abrupt variations near scattering-assisted tunneling resonances. Our results show that these two dimensional gases act as spin-polarized sources for carriers tunneling through the well in resonant tunneling diodes.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
e-ISSN
—
Svazek periodika
99
Číslo periodika v rámci svazku
23
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
233507, 1-4
Kód UT WoS článku
000298006100093
EID výsledku v databázi Scopus
—