Point Defects in Pb-, Bi-, and In-Doped CdZnTe Detectors: Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) Measurements

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F12%3A10125917" target="_blank" >RIV/00216208:11320/12:10125917 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-011-1802-y" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1007/s11664-011-1802-y</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s11664-011-1802-y" target="_blank" >10.1007/s11664-011-1802-y</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Point Defects in Pb-, Bi-, and In-Doped CdZnTe Detectors: Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) Measurements

Popis výsledku v původním jazyce

We studied, by current deep-level transient spectroscopy (I-DLTS), point defects induced in CdZnTe detectors by three dopants: Pb, Bi, and In. Pb-doped CdZnTe detectors have a new acceptor trap at around 0.48 eV. The absence of a V-Cd trap suggests thatall Cd vacancies are compensated by Pb interstitials after they form a deep-acceptor complex [[Pb-Cd](+)-V (Cd) (2-) ](-). Bi-doped CdZnTe detectors had two distinct traps: a shallow trap at around 36 meV and a deep donor trap at around 0.82 eV. In detectors doped with In, we noted three well-known traps: two acceptor levels at around 0.18 eV (A-centers) and 0.31 eV (V-Cd), and a deep trap at around 1.1 eV.

Název v anglickém jazyce

Point Defects in Pb-, Bi-, and In-Doped CdZnTe Detectors: Deep-Level Transient Spectroscopy (DLTS) Measurements

Popis výsledku anglicky

We studied, by current deep-level transient spectroscopy (I-DLTS), point defects induced in CdZnTe detectors by three dopants: Pb, Bi, and In. Pb-doped CdZnTe detectors have a new acceptor trap at around 0.48 eV. The absence of a V-Cd trap suggests thatall Cd vacancies are compensated by Pb interstitials after they form a deep-acceptor complex [[Pb-Cd](+)-V (Cd) (2-) ](-). Bi-doped CdZnTe detectors had two distinct traps: a shallow trap at around 36 meV and a deep donor trap at around 0.82 eV. In detectors doped with In, we noted three well-known traps: two acceptor levels at around 0.18 eV (A-centers) and 0.31 eV (V-Cd), and a deep trap at around 1.1 eV.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Electronic Materials

ISSN

0361-5235

e-ISSN

—

Svazek periodika

41

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

488-493

Kód UT WoS článku

000299930100010

EID výsledku v databázi Scopus

—