Closely spaced SiGe barns as stressor structures for strain-enhancement in silicon

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10133654" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10133654 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4789507" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4789507</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4789507" target="_blank" >10.1063/1.4789507</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Closely spaced SiGe barns as stressor structures for strain-enhancement in silicon

Popis výsledku v původním jazyce

We present tensile and compressive strains realized within the same Si capping layer on an array of SiGe islands grown on pit-patterned (001) Si substrates. The strain distributions are obtained from synchrotron X-ray diffraction studies in combination with three-dimensional finite element calculations and simulations of the diffracted intensities. For barn-shaped islands grown at 720 degrees C with average Ge contents of 30%, the Si cap layer is misfit-and threading-dislocation free and exhibits compressive strains as high as 0.8% in positions between the islands and tensile strains of up to 1% on top of the islands.

Název v anglickém jazyce

Closely spaced SiGe barns as stressor structures for strain-enhancement in silicon

Popis výsledku anglicky

We present tensile and compressive strains realized within the same Si capping layer on an array of SiGe islands grown on pit-patterned (001) Si substrates. The strain distributions are obtained from synchrotron X-ray diffraction studies in combination with three-dimensional finite element calculations and simulations of the diffracted intensities. For barn-shaped islands grown at 720 degrees C with average Ge contents of 30%, the Si cap layer is misfit-and threading-dislocation free and exhibits compressive strains as high as 0.8% in positions between the islands and tensile strains of up to 1% on top of the islands.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

102

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000314032600053

EID výsledku v databázi Scopus

—