Photoluminescence spectroscopy of semi-insulating CdZnTe and its correlation to resistivity and photoconductivity

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10140048" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10140048 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2013.05.042" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2013.05.042</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2013.05.042" target="_blank" >10.1016/j.jlumin.2013.05.042</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photoluminescence spectroscopy of semi-insulating CdZnTe and its correlation to resistivity and photoconductivity

Popis výsledku v původním jazyce

Two CdZnTe samples grown via the Vertical-Gradient-Freeze (VGF) method were studied through low-temperature photoluminescence, room-temperature resistivity and photoconductivity measured by the contactless method. Luminescence of three deep levels E-DL1=E-C-1.09 eV, E-DL2=E-C-0.70 eV and E-DL3=E-C-0.55 eV was observed. Correlation between the optical and the electrical investigation methods suggests the dependence of resistivity on DL3. Photoconductivity and subsequently the charge transport efficiencyseem to depend on the occupation of a near midgap level DL2, which is influenced by the position of the Fermi level. A model of the Fermi level shift can be used to evaluate the results of the complementary investigation methods.

Název v anglickém jazyce

Photoluminescence spectroscopy of semi-insulating CdZnTe and its correlation to resistivity and photoconductivity

Popis výsledku anglicky

Two CdZnTe samples grown via the Vertical-Gradient-Freeze (VGF) method were studied through low-temperature photoluminescence, room-temperature resistivity and photoconductivity measured by the contactless method. Luminescence of three deep levels E-DL1=E-C-1.09 eV, E-DL2=E-C-0.70 eV and E-DL3=E-C-0.55 eV was observed. Correlation between the optical and the electrical investigation methods suggests the dependence of resistivity on DL3. Photoconductivity and subsequently the charge transport efficiencyseem to depend on the occupation of a near midgap level DL2, which is influenced by the position of the Fermi level. A model of the Fermi level shift can be used to evaluate the results of the complementary investigation methods.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA13-13671S" target="_blank" >GA13-13671S: Detektory Rentgenova záření pro vysoké fotonové toky</a><br>

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Luminescence

ISSN

0022-2313

e-ISSN

—

Svazek periodika

143

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

382-387

Kód UT WoS článku

000323912400061

EID výsledku v databázi Scopus

—