Effect of temperature on photoexcited charge carrier dynamics in Si-NCs/SiO2 superlattices

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10173371" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10173371 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2022723" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2022723</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2022723" target="_blank" >10.1117/12.2022723</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of temperature on photoexcited charge carrier dynamics in Si-NCs/SiO2 superlattices

Popis výsledku v původním jazyce

An experimental study of the temperature dependence of photoluminescence time decay in size-controlled silicon nanocrystals in silicon nanocrystal/SiO2 superlattices is reported. The samples were prepared using thermal evaporation and subsequent thermally induced phase separation. The slow (microseconds) decay line shape is described well by a stretched exponential. The temperature dependence of the photoluminescence dynamics can be understood in terms of thermal activation of recombination processes, including hopping of carriers between localized states. Additional hydrogen treatment causes an increase in both parameters of the stretched exponential function. This behavior is interpreted as a consequence of H-2-passivation of dangling bonds defects.

Název v anglickém jazyce

Effect of temperature on photoexcited charge carrier dynamics in Si-NCs/SiO2 superlattices

Popis výsledku anglicky

An experimental study of the temperature dependence of photoluminescence time decay in size-controlled silicon nanocrystals in silicon nanocrystal/SiO2 superlattices is reported. The samples were prepared using thermal evaporation and subsequent thermally induced phase separation. The slow (microseconds) decay line shape is described well by a stretched exponential. The temperature dependence of the photoluminescence dynamics can be understood in terms of thermal activation of recombination processes, including hopping of carriers between localized states. Additional hydrogen treatment causes an increase in both parameters of the stretched exponential function. This behavior is interpreted as a consequence of H-2-passivation of dangling bonds defects.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

ISBN

978-0-8194-9657-7

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

"88070V1"-6

Název nakladatele

SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING

Místo vydání

BELLINGHAM

Místo konání akce

San Diego, USA

Datum konání akce

25. 8. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000327304600011