Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F15%3A10314277" target="_blank" >RIV/00216208:11320/15:10314277 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/2043-6262/6/1/013002" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/2043-6262/6/1/013002</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/2043-6262/6/1/013002" target="_blank" >10.1088/2043-6262/6/1/013002</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films

Popis výsledku v původním jazyce

We have investigated the hydrogen storage ability and the effect of hydrogenation on structure and physical properties of Ti/V and their oxides-based thin films. A series of Ti-TiO2 and VOx-TiO2 thin films with different layer structures, geometries andthicknesses have been prepared by the sputtering technique on different (Si(111), SiO2, C) substrates. For the Ti-TiO2-Ti films up to 50 at.% of hydrogen can be stored in the Ti layers, while the hydrogen can penetrate without accumulation through the TiO2 layer. A large hydrogen storage was also found in some V2O5-TiO2 films. Hydrogen could also remove the preferential orientation in the Ti films and induce a transition of V2O5 to VO2 in the films. (C) 2015 Vietnam Academy of Science & Technology.

Název v anglickém jazyce

Hydrogen storage in Ti, V and their oxides-based thin films

Popis výsledku anglicky

We have investigated the hydrogen storage ability and the effect of hydrogenation on structure and physical properties of Ti/V and their oxides-based thin films. A series of Ti-TiO2 and VOx-TiO2 thin films with different layer structures, geometries andthicknesses have been prepared by the sputtering technique on different (Si(111), SiO2, C) substrates. For the Ti-TiO2-Ti films up to 50 at.% of hydrogen can be stored in the Ti layers, while the hydrogen can penetrate without accumulation through the TiO2 layer. A large hydrogen storage was also found in some V2O5-TiO2 films. Hydrogen could also remove the preferential orientation in the Ti films and induce a transition of V2O5 to VO2 in the films. (C) 2015 Vietnam Academy of Science & Technology.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/7AMB14PL036" target="_blank" >7AMB14PL036: Struktura, elektronové a magnetické vlastnosti hydridů na bázi f-kovů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology [online]

ISSN

2043-6262

e-ISSN

—

Svazek periodika

6

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000355757400002

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84921787040