Influence of deep levels on the electrical transport properties of CdZnTeSe detectors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F18%3A10386797" target="_blank" >RIV/00216208:11320/18:10386797 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1063/1.5063850" target="_blank" >https://doi.org/10.1063/1.5063850</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5063850" target="_blank" >10.1063/1.5063850</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of deep levels on the electrical transport properties of CdZnTeSe detectors

Popis výsledku v původním jazyce

We investigated the influence of deep levels on the electrical transport properties of CdZnTeSe (CZTS) radiation detectors by comparing experimental data with numerical simulations based on the simultaneous solution of drift-diffusion and Poisson equations, including the Shockley-Read-Hall model of the carrier trapping. We determined the Schottky barrier heights and the Fermi level position from I-V measurements. We measured the time evolution of the electric field and the electrical current after the application of a voltage bias. We observed that the electrical properties of CZTS are fundamentally governed by two deep levels close to the mid-bandgap-one recombination and one hole trap. We show that the hole trap indirectly increases the mobility-lifetime product of electrons. We conclude that the structure of deep levels in CZTS is favorable for high electrical charge transport. Published by AIP Publishing.

Název v anglickém jazyce

Influence of deep levels on the electrical transport properties of CdZnTeSe detectors

Popis výsledku anglicky

We investigated the influence of deep levels on the electrical transport properties of CdZnTeSe (CZTS) radiation detectors by comparing experimental data with numerical simulations based on the simultaneous solution of drift-diffusion and Poisson equations, including the Shockley-Read-Hall model of the carrier trapping. We determined the Schottky barrier heights and the Fermi level position from I-V measurements. We measured the time evolution of the electric field and the electrical current after the application of a voltage bias. We observed that the electrical properties of CZTS are fundamentally governed by two deep levels close to the mid-bandgap-one recombination and one hole trap. We show that the hole trap indirectly increases the mobility-lifetime product of electrons. We conclude that the structure of deep levels in CZTS is favorable for high electrical charge transport. Published by AIP Publishing.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/GA18-06818S" target="_blank" >GA18-06818S: Vývoj detektorů vysokoenergetického záření na bázi CdSeTe a CdZnSeTe</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2018

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

124

Číslo periodika v rámci svazku

23

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000454217800039

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85058813085