Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F02%3A00007669" target="_blank" >RIV/00216224:14310/02:00007669 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction

Popis výsledku v původním jazyce

Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction

Název v anglickém jazyce

Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction

Popis výsledku anglicky

Influence of GaN domain size on the electron mobility of two-dimensional electron gases in Al-GaN/GaN heterostructures determined by x-ray reflectivity and diffraction

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F00%2F0354" target="_blank" >GA202/00/0354: Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Appl. Phys. Lett.

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

80

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

3521-3523

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—