Epitaxní vícevrstvá struktura pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů na bázi GaN a tranzistor obsahující tuto strukturu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00519848" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00519848 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307942.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307942.pdf</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Epitaxní vícevrstvá struktura pro tranzistory s vysokou pohyblivostí elektronů na bázi GaN a tranzistor obsahující tuto strukturu

Popis výsledku v původním jazyce

Epitaxní vícevrstvá polovodičová struktura vhodná pro využití v nitridových e-HEMT strukturách, která má vrstvu s elektronovým kanálem, sestávající z nedotovaného GaN, nad níž je bariérová vrstva přiléhající k elektronovému kanálu v nedotované GaN vrstvě. Bariérová vrstva je podle vynálezu tvořena kombinací vrstev binárních polovodičů AlN a GaN. Binární polovodiče a rozhraní mezi nimi tvoří účinnou bariéru zejména pro zpětnou difúzi Mg atomů z GaN krycí vrstvy do elektronového kanálu. Bariérová struktura přiléhá k elektronovému kanálu vždy AlN vrstvou, avšak seshora může být ukončena jak GaN vrstvou, tak vrstvou AlN. Bariéra může obsahovat jedinou nebo více dvojic GaN/AlN, může mít větší tloušťku než klasické bariéry tvořené AlGaN vrstvou. Několik horních GaN vrstev může být dotováno hořčíkem. Epitaxní vícevrstvá polovodičová struktura podle vynálezu je vhodná zejména pro tranzistor s elektronovým kanálem, který je bez přiloženého napětí zavřený.

Název v anglickém jazyce

Epitaxial multilayer structure for GaN-based high electron mobility transistors and a transistor containing this structure

Popis výsledku anglicky

Epitaxial multilayer semiconductor structure suitable for applications in nitride e-HEMT, which has an electron channel layer consisting of undoped GaN, above which is a barrier layer adjacent to the electron channel in the undoped GaN layer. In this patent, the barrier layer consists of a combination of layers of binary semiconductors AlN and GaN. The binary semiconductors, and the interfaces between them, form an efficient barrier particularly against back-diffusion of Mg atoms from the GaN capping layer into the electron channel. The barrier structure contacts the electron channel always with its AlN layer, but on its upper side it can be terminated either by an AlN, or by an GaN layer. The barrier can contain one or multiple GaN/AlN pairs and can be thicker than classical barriers made of a single AlGaN layer. Several upper GaN layers can be doped with magnesium. The multilayered epitaxial semiconductor structure according to the patent is especially suitable for a transistor with an electron channel that is in off state when no gate voltage is present.

Druh

P - Patent

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/TH02010014" target="_blank" >TH02010014: Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

307942

Vydavatel

CZ001 -

Název vydavatele

Industrial Property Office

Místo vydání

Prague

Stát vydání

CZ - Česká republika

Datum přijetí

25. 7. 2019

Název vlastníka

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence