Funkční vzorek finální HEMT struktury

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F16%3AN0000001" target="_blank" >RIV/26821532:_____/16:N0000001 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Funkční vzorek finální HEMT struktury

Popis výsledku v původním jazyce

Heteroepitaxní struktura je vytvořená pomocí MOCVD technologie na bórem dopovaném křemíkovém substrátu (111) s tloušťkou 1 mm a měrným odporem v rozsahu 5 – 50 ohm.cm (specifikace substrátu W754B00). Struktura se skládá z AlN nukleační vrstvy (1 nm nízkoteplotní AlN @800 °C, 260 nm vysokoteplotní AlN @1050 °C), přechodové AlGaN vrstvy s 30% Al o tloušťce 120 nm, uhlíkem dopované AlN(5nm)/AlGaN(25 nm) supermřížky o celkové tloušťce 3000 nm a koncentraci uhlíku 1e19 at/cm3, 150 nm tlustou C:GaN vrstvou s koncentrací uhlíku na úrovní 1E18 at/cm3, 7000 nm tlustou C:GaN vrstvou s koncentrací uhlíku na úrovní 1E19 at/cm3, 600 nm GaN kanálem s koncentrací uhlíku menší než 5E16 at/cm3, 15 nm tlustou AlGaN bariérovou vrstvou s 25% Al a SiN/AlN/SiN pasivační multi-vrstvou. Dvoudimenzionální elektronový plyn (2DEG) s vrstvovým odporem cca 400 – 500 ohm/sq vzniká na rozhraní GaN kanálu a AlGaN bariéry.

Název v anglickém jazyce

Utility sample of final HEMT structure

Popis výsledku anglicky

Heteroepitaxial structure was made using the MOCVD technology on boron doped silicon substrate (111) with thickness of 1 mm and with resistivity in range of 5 – 50 ohm.cm (full substrate specification is W754B00). Our structure consists from AlN nucleation layer (1 nm of low temperature AlN @800°C, 260 nm of high temperature AlN @1050°C), transition AlGaN layer with 30% of Al and thickness of 120 nm, carbon doped AlN(5nm)/AlGaN(25 nm) superlattice with total thickness of 3000 nm and with carbon concentration of 1e19 at/cm3, 150 nm thick C:GaN layer with concentration of carbon on the level of 1E18 at/cm3, 700 nm of thick C:GaN layer with carbon concentration on the level of 1E19/cm3, 600 nm GaN channel with concentration of carbon lower then 5E16 at/cm3, 15 nm thick AlGaN barrier layer with 25% of Al and SiN/AlN/SiN passivation multilayer. Two dimensional electron gas (2DEG) with sheet resistivity of 400 – 500 ohm/sq is formed on the interface of GaN channel and AlGaN barrier.

Druh

G_funk - Funkční vzorek

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TH01011284" target="_blank" >TH01011284: Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Interní identifikační kód produktu

TH01011284-2016V003

Číselná identifikace

TH01011284-2016V003

Technické parametry

Heteroepitaxní struktura HEMT Ga(Al)N/Si(<111>, 5-50 ohm.cm, 150 mm/1mm), Dvoudimenzionální elektronový plyn (2DEG) s vrstvovým odporem cca 400 – 500 ohm/sq vzniká na rozhraní GaN kanálu a AlGaN bariéry.

Ekonomické parametry

Jednotková výrobní cena pod 500 USD..

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

26821532

Název vlastníka

ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Požadavek na licenční poplatek

A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

Adresa www stránky s výsledkem

—