Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Synchrotron area diffractometry as a tool for spatial high-resolution three-dimensional lattice misorientation mapping

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F03%3A00008735" target="_blank" >RIV/00216224:14310/03:00008735 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Synchrotron area diffractometry as a tool for spatial high-resolution three-dimensional lattice misorientation mapping

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Wafer quality inspection and defect analysis are crucial for improvements of the wafer fabrication technology as well as for the correlation of device properties with the processes of wafer treating. This work demonstrates trends of high-resolution X-raydiffraction imaging techniques with synchrotron radiation sources and their capability for detailed quality inspection of wafers concerning their structural perfection. We apply these methods to visualise and to characterise the defects and deformationsinduced by growing, cutting, grinding, etching and gluing in the production of semiconductor wafers (in particular Si and GaAs wafers) and in ultra-thin wafers. We present synchrotron topography and synchrotron area diffractometry methods to analyse qualitatively and quantitatively: dislocations and lineages, micro-defects and micro-cracks, wafer tilts and warpages, tensors of local lattice rotations.

  • Název v anglickém jazyce

    Synchrotron area diffractometry as a tool for spatial high-resolution three-dimensional lattice misorientation mapping

  • Popis výsledku anglicky

    Wafer quality inspection and defect analysis are crucial for improvements of the wafer fabrication technology as well as for the correlation of device properties with the processes of wafer treating. This work demonstrates trends of high-resolution X-raydiffraction imaging techniques with synchrotron radiation sources and their capability for detailed quality inspection of wafers concerning their structural perfection. We apply these methods to visualise and to characterise the defects and deformationsinduced by growing, cutting, grinding, etching and gluing in the production of semiconductor wafers (in particular Si and GaAs wafers) and in ultra-thin wafers. We present synchrotron topography and synchrotron area diffractometry methods to analyse qualitatively and quantitatively: dislocations and lineages, micro-defects and micro-cracks, wafer tilts and warpages, tensors of local lattice rotations.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2003

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    J. Phys. D: Appl. Phys.

  • ISSN

    0022-3727

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    36

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    "A74"-"A78"

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus