Úplná charakterizace drsných polymorfních křemíkových vrstev pomocí mikroskopie atomové síly a kombinované metody spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F04%3A00010139" target="_blank" >RIV/00216224:14310/04:00010139 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00177016:_____/04:#0000334

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Complete Characterization of Rough Polymorphous Silicon Films by Atomic Force Microscopy and the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper the results of the complete characterization of hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H) films deposited onto silicon single crystal substrates performed by atomic force microscopy (AFM) and the combined method of spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry are presented. This combined method is applied in the multi-sample modification. The experimental data are measured within the near-UV, visible and near-IR regions (190-1000 nm). For treating the experimental data thedispersion model recently formulated for amorphous chalcogenide films is employed. This model is based on the parameterization of the density of electronic states. Moreover, for the treatment of the experimental data the structural model containing the defects, i.e. roughness of the upper boundaries of the films, overlayers, transition layers and refractive index profile inhomogeneity, is employed. The results of the characterization consist of the determination of the spectral dependenc

Název v anglickém jazyce

Complete Characterization of Rough Polymorphous Silicon Films by Atomic Force Microscopy and the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry

Popis výsledku anglicky

In this paper the results of the complete characterization of hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H) films deposited onto silicon single crystal substrates performed by atomic force microscopy (AFM) and the combined method of spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry are presented. This combined method is applied in the multi-sample modification. The experimental data are measured within the near-UV, visible and near-IR regions (190-1000 nm). For treating the experimental data thedispersion model recently formulated for amorphous chalcogenide films is employed. This model is based on the parameterization of the density of electronic states. Moreover, for the treatment of the experimental data the structural model containing the defects, i.e. roughness of the upper boundaries of the films, overlayers, transition layers and refractive index profile inhomogeneity, is employed. The results of the characterization consist of the determination of the spectral dependenc

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

455-456

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

399-403

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—