Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Monte Carlo a Particle in Cell simulace zrcadlového jevu v PECVD reaktoru

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F04%3A00011745" target="_blank" >RIV/00216224:14310/04:00011745 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Monte Carlo and Particle in Cell Simulation of Mirror Effect in PECVD reactor

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We have studied thin film plasma enhanced chemical vapor deposition from methane and thin film sputtering in argon in low pressure rf discharge. We have observed that thickness of a thin film deposited on the upper (grounded) electrode has mirrored substrates placed on the bottom rf powered electrode. This mirror images have not been quite sharp. The same effect was observed when the initially homogeneous film (deposited on the upper electrode) was sputtered in the argon plasma. Again the image of object on the bottom electrode was sputtered in the film on the upper electrode. The mirror effect has been studied via Particle In Cell - Monte Carlo (PIC-MC) computer simulation. In our explanation the mirror effect is caused by the difference between secondary electron emission coefficient of substrate material and material of substrate holder. This difference in the secondary electron emission coefficient affects plasma density upon the substrates and this leads to higher or lower deposit

  • Název v anglickém jazyce

    Monte Carlo and Particle in Cell Simulation of Mirror Effect in PECVD reactor

  • Popis výsledku anglicky

    We have studied thin film plasma enhanced chemical vapor deposition from methane and thin film sputtering in argon in low pressure rf discharge. We have observed that thickness of a thin film deposited on the upper (grounded) electrode has mirrored substrates placed on the bottom rf powered electrode. This mirror images have not been quite sharp. The same effect was observed when the initially homogeneous film (deposited on the upper electrode) was sputtered in the argon plasma. Again the image of object on the bottom electrode was sputtered in the film on the upper electrode. The mirror effect has been studied via Particle In Cell - Monte Carlo (PIC-MC) computer simulation. In our explanation the mirror effect is caused by the difference between secondary electron emission coefficient of substrate material and material of substrate holder. This difference in the secondary electron emission coefficient affects plasma density upon the substrates and this leads to higher or lower deposit

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA202%2F03%2F0827" target="_blank" >GA202/03/0827: Studium elementárních procesů v nízkoteplotním a technologicky orientovaném plazmatu a vývoj relevantních diagnostických metod</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2004

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    WDS'04 Proceedings of Contributed Papers, Part II

  • ISBN

    80-86732-32-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    287-292

  • Název nakladatele

    MATFYZPRESS

  • Místo vydání

    Prague, (Czech republic)

  • Místo konání akce

    Prague

  • Datum konání akce

    15. 6. 2004

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku