Analýza morfologie horních rozhraní vrstev GaN připravených pomocí MOCVD s využitím mikroskopie atomové síly

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00015079" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00015079 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Atomic force microscopy analysis of morphology of the upper boundaries of GaN thin films prepared by MOCVD

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper the results of the atomic force microscopy analysis of the upper boundaries of the GaN nucleation and buffer films prepared by MOCVD are presented. It is shown that the upper boundaries of nucleation films exhibit morphology identical withstatistical roughness. The values of the basic statistical roughness quantities, i.e. the RMS values of the heights and the autocorrelation length values, of these boundaries are determined in dependences on time and temperature of their annealing. TheseRMS values decrease with increasing values of both technological parameters. It is also found that the corresponding power spectral density functions of the upper boundaries of these films satisfy the Gaussian function very well. Furthermore, it is shown that the GaN buffer films created onto the selected nucleation film have the upper boundaries whose morphology is different from the typical statistical surface roughness. Both RMS values and autocorrelation length values decrease with

Název v anglickém jazyce

Atomic force microscopy analysis of morphology of the upper boundaries of GaN thin films prepared by MOCVD

Popis výsledku anglicky

In this paper the results of the atomic force microscopy analysis of the upper boundaries of the GaN nucleation and buffer films prepared by MOCVD are presented. It is shown that the upper boundaries of nucleation films exhibit morphology identical withstatistical roughness. The values of the basic statistical roughness quantities, i.e. the RMS values of the heights and the autocorrelation length values, of these boundaries are determined in dependences on time and temperature of their annealing. TheseRMS values decrease with increasing values of both technological parameters. It is also found that the corresponding power spectral density functions of the upper boundaries of these films satisfy the Gaussian function very well. Furthermore, it is shown that the GaN buffer films created onto the selected nucleation film have the upper boundaries whose morphology is different from the typical statistical surface roughness. Both RMS values and autocorrelation length values decrease with

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Svazek periodika

80

Číslo periodika v rámci svazku

1-3

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

53-57

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—