Local strain and defects in silicon wafers due to nanoindentation revealed by full-field X-ray microdiffraction imaging

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F15%3A00087093" target="_blank" >RIV/00216224:14310/15:00087093 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1107/S1600577515009650" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1107/S1600577515009650</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1107/S1600577515009650" target="_blank" >10.1107/S1600577515009650</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local strain and defects in silicon wafers due to nanoindentation revealed by full-field X-ray microdiffraction imaging

Popis výsledku v původním jazyce

Quantitative characterization of local strain in silicon wafers is critical in view of issues such as wafer handling during manufacturing and strain engineering. In this work, full-field X-ray microdiffraction imaging using synchrotron radiation is employed to investigate the long-range distribution of strain fields in silicon wafers induced by indents under different conditions in order to simulate wafer fabrication damage. The technique provides a detailed quantitative mapping of strain and defect characterization at the micrometer spatial resolution and holds some advantages over conventional methods.

Název v anglickém jazyce

Local strain and defects in silicon wafers due to nanoindentation revealed by full-field X-ray microdiffraction imaging

Popis výsledku anglicky

Quantitative characterization of local strain in silicon wafers is critical in view of issues such as wafer handling during manufacturing and strain engineering. In this work, full-field X-ray microdiffraction imaging using synchrotron radiation is employed to investigate the long-range distribution of strain fields in silicon wafers induced by indents under different conditions in order to simulate wafer fabrication damage. The technique provides a detailed quantitative mapping of strain and defect characterization at the micrometer spatial resolution and holds some advantages over conventional methods.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Synchrotron Radiation

ISSN

0909-0495

e-ISSN

—

Svazek periodika

22

Číslo periodika v rámci svazku

July

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

1083-1090

Kód UT WoS článku

000357407900027

EID výsledku v databázi Scopus

—