Complete optical characterization of imperfect hydrogenated amorphous silicon layers by spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F99%3A00002088" target="_blank" >RIV/00216224:14310/99:00002088 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Complete optical characterization of imperfect hydrogenated amorphous silicon layers by spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry

Popis výsledku v původním jazyce

In this paper the method based on interpreting the data measured within variable angle of incidence spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry is used for the complete optical analysis of hydrogenated amorphous silicon layers deposited onsilicon single crystal wafers. This method enables us to perform the analysis of these layers in a relatively wide spectral region because of both roughness and native oxide layer existing on the upper boundary of every silicon layer studied is respected at its analysis. The results obtained for a chosen sample of the hydrogenated amorphous silicon layer are presented.

Název v anglickém jazyce

Complete optical characterization of imperfect hydrogenated amorphous silicon layers by spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry

Popis výsledku anglicky

In this paper the method based on interpreting the data measured within variable angle of incidence spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry is used for the complete optical analysis of hydrogenated amorphous silicon layers deposited onsilicon single crystal wafers. This method enables us to perform the analysis of these layers in a relatively wide spectral region because of both roughness and native oxide layer existing on the upper boundary of every silicon layer studied is respected at its analysis. The results obtained for a chosen sample of the hydrogenated amorphous silicon layer are presented.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

1999

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

343-344

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—