Role vodíku na strukturální změny SiGe:H vrstev

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14410%2F11%3A00049408" target="_blank" >RIV/00216224:14410/11:00049408 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Role vodíku na strukturální změny SiGe:H vrstev
Popis výsledku v původním jazyce
Příspěvek je zaměřen na studium vlivu role vodíku na vlastnosti tenkých vrstev SiGe:H. Pro zjištění optoelektronických vlastností vrstev byly použity metody IČ, PDS, CPM, a dynamická intendační metoda pro stanovení mechanických vlastností. Navíc byly vzorky podrobeny měření termální desorpce vodíku. Výsledky ukazují na různé zabudování vodíku se změnami depozičních podmínek.
Název v anglickém jazyce
Role of hydrogen on structural changes in SiGe:H films
Popis výsledku anglicky
The paper focuses on studying the impact of the role of hydrogen on the properties of thin layers of SiGe: H. To determine the optoelectronic properties of films we used IR, PDS, CPM and intendation dynamic method for determining the mechanical properties. In addition, samples were subjected to measurements of the thermal desorption of hydrogen. The results indicate a different incorporation of hydrogen in films with variation of the deposition conditions.

Projekt
<a href="/cs/project/KAN311610701" target="_blank" >KAN311610701: Nanometrologie využívající metod rastrovací sondové mikroskopie</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)