Humidity resistant hydrogenated carbon nitride films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F13%3A00066624" target="_blank" >RIV/00216224:14740/13:00066624 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61389005:_____/13:00397640 RIV/68081731:_____/13:00397640 RIV/00216305:26620/13:PU103576
Výsledek na webu
<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433213005011" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433213005011</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.03.033" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2013.03.033</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Humidity resistant hydrogenated carbon nitride films
Popis výsledku v původním jazyce
The aim of this study is to prepare the hydrogenated carbon nitrides films which possess good adhesion to silicon substrates and stability in humid surroundings. The films were prepared by magnetron sputtering from pure graphite target in a nitrogen-hydrogen discharge. Two main factors can lead to delamination of the films. The first is the high value of residual stress and the second is the absorption of moisture into the bulk and their affect on films/substrates interface. Both factors were eliminatedby adding hydrogen and post-deposition annealing in the vacuum. The influence of annealing (to 200, 400, 600, 800 and 1000 degrees C) on chemical composition and microstructure was studied by various methods. For preparation of humidity (water) resistant films we have added 15% partial pressure of hydrogen to nitrogen discharge and annealed the samples in vacuum to minimum temperature, which was 600 degrees C. The heating to 600 degrees C causes the increasing of carbon -nitride ratio f
Název v anglickém jazyce
Humidity resistant hydrogenated carbon nitride films
Popis výsledku anglicky
The aim of this study is to prepare the hydrogenated carbon nitrides films which possess good adhesion to silicon substrates and stability in humid surroundings. The films were prepared by magnetron sputtering from pure graphite target in a nitrogen-hydrogen discharge. Two main factors can lead to delamination of the films. The first is the high value of residual stress and the second is the absorption of moisture into the bulk and their affect on films/substrates interface. Both factors were eliminatedby adding hydrogen and post-deposition annealing in the vacuum. The influence of annealing (to 200, 400, 600, 800 and 1000 degrees C) on chemical composition and microstructure was studied by various methods. For preparation of humidity (water) resistant films we have added 15% partial pressure of hydrogen to nitrogen discharge and annealed the samples in vacuum to minimum temperature, which was 600 degrees C. The heating to 600 degrees C causes the increasing of carbon -nitride ratio f
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Surface Science
ISSN
0169-4332
e-ISSN
—
Svazek periodika
275
Číslo periodika v rámci svazku
Jun
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
7-13
Kód UT WoS článku
000318977300003
EID výsledku v databázi Scopus
—