Metrology of epitaxial layers *GaN

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F14%3A00079942" target="_blank" >RIV/00216224:14740/14:00079942 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Metrology of epitaxial layers *GaN
Popis výsledku v původním jazyce
*Utilization of characterization methods for development of *Al/GaN epitaxial technology. Evaluating the feasibility of MOCVD epitaxial growth of HEMT materials including structure characteristics and characterization methods. Perform characterization ofoptical properties of *Al/GaN layered system and propose metrology for layer thickness estimation. Perform correlation of measurement with FTIR system. Develop x-ray methods for characterization of defects in epitaxial *Al/GaN layers. Develop x-ray methods for fast analysis of composition of epitaxial *Al/GaN layers.
Název v anglickém jazyce
Metrology of epitaxial layers *GaN
Popis výsledku anglicky
*Utilization of characterization methods for development of *Al/GaN epitaxial technology. Evaluating the feasibility of MOCVD epitaxial growth of HEMT materials including structure characteristics and characterization methods. Perform characterization ofoptical properties of *Al/GaN layered system and propose metrology for layer thickness estimation. Perform correlation of measurement with FTIR system. Develop x-ray methods for characterization of defects in epitaxial *Al/GaN layers. Develop x-ray methods for fast analysis of composition of epitaxial *Al/GaN layers.

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Podobné výsledky(10)