Tenké epitaxní vrstvy GaN:Mn pro aplikace ve spintronice

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F06%3A00016914" target="_blank" >RIV/60461373:22310/06:00016914 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/60461373:22310/06:00017021

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

GaN:Mn thin epitaxial layers for spintronic applications

Popis výsledku v původním jazyce

The main focus of this work concerns the material, technological and some theoretical aspects of dilute magnetic semiconductors (DMS) based on the transition metal doped GaN thin film. The epitaxial thin layers of GaN with wurtzite structure was deposited by MOVPE technique on monocrystaline c-plane sappphire substrates at a temperatures of 1100oC. The gaseous metalorganic precursors Ga(CH3)3 and ammonia were used as sources of the components. Due to a relatively large lattice mismatch between Al2O3 andGaN a short accommodation period at &#61566;550oC characterized by a deposition of a polycrystalline buffer layers of GaN was included prior to the epitaxial growth. The prepared epitaxial layers were examined by means X-ray diffraction, scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM),electron microprobe analysis (EMA). As a theoretical tool for the prediction of appropriate deposition conditions of GaN:Mn epitaxial layers in situ, calculations of equilibrium solubilit

Název v anglickém jazyce

GaN:Mn thin epitaxial layers for spintronic applications

Popis výsledku anglicky

The main focus of this work concerns the material, technological and some theoretical aspects of dilute magnetic semiconductors (DMS) based on the transition metal doped GaN thin film. The epitaxial thin layers of GaN with wurtzite structure was deposited by MOVPE technique on monocrystaline c-plane sappphire substrates at a temperatures of 1100oC. The gaseous metalorganic precursors Ga(CH3)3 and ammonia were used as sources of the components. Due to a relatively large lattice mismatch between Al2O3 andGaN a short accommodation period at &#61566;550oC characterized by a deposition of a polycrystalline buffer layers of GaN was included prior to the epitaxial growth. The prepared epitaxial layers were examined by means X-ray diffraction, scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM),electron microprobe analysis (EMA). As a theoretical tool for the prediction of appropriate deposition conditions of GaN:Mn epitaxial layers in situ, calculations of equilibrium solubilit

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BJ - Termodynamika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA104%2F06%2F0642" target="_blank" >GA104/06/0642: Tenké vrstvy magneticky dopovaných polovodičů A(iii)N pro aplikace ve spinové elektronice</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Zborník prednášok Vrstvy a povlaky 2006

ISBN

80-969310-2-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

128-131

Název nakladatele

Digital Graphic

Místo vydání

Trenčín

Místo konání akce

—

Datum konání akce

—

Typ akce podle státní příslušnosti

—

Kód UT WoS článku

—