SiC characterization using optical and x-ray techniques

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F15%3A00087334" target="_blank" >RIV/00216224:14740/15:00087334 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

SiC characterization using optical and x-ray techniques

Popis výsledku v původním jazyce

*Goal: Using methods available at Department of Condensed Matter Physics, characterize optical and crystallographic properties of silicon carbide. Description: ON Semiconductor Czech Republic is running a proof-of-concept project evaluating the potentialof silicon carbide devices. Since SiC material properties are signif- icantly different from those of silicon, their knowledge is important to consider the future fabrication process. The goal of this project is the feasibility evaluation of optical andX-ray methods for SiC study, as well as basic characterization of optical properties and crystallographic quality of provided samples. Project milestones are: Characterize SiC optical properties in the range critical for wafer fab tools (UV-VIS- NIR), investigate non-uniformity of optical parameters on SiC wafer. Evaluate potential of other optical characterization techniques (IR, Raman).

Název v anglickém jazyce

SiC characterization using optical and x-ray techniques

Popis výsledku anglicky

*Goal: Using methods available at Department of Condensed Matter Physics, characterize optical and crystallographic properties of silicon carbide. Description: ON Semiconductor Czech Republic is running a proof-of-concept project evaluating the potentialof silicon carbide devices. Since SiC material properties are signif- icantly different from those of silicon, their knowledge is important to consider the future fabrication process. The goal of this project is the feasibility evaluation of optical andX-ray methods for SiC study, as well as basic characterization of optical properties and crystallographic quality of provided samples. Project milestones are: Characterize SiC optical properties in the range critical for wafer fab tools (UV-VIS- NIR), investigate non-uniformity of optical parameters on SiC wafer. Evaluate potential of other optical characterization techniques (IR, Raman).

Druh

V_souhrn - Souhrnná výzkumná zpráva

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Počet stran výsledku

17

Místo vydání

Brno

Název nakladatele resp. objednatele

ON Semiconductor CR

Verze

—