Local topography of optoelectronic substrates prepared by dry plasma etching process

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F15%3APU112284" target="_blank" >RIV/00216305:26220/15:PU112284 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2176367" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2176367</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2176367" target="_blank" >10.1117/12.2176367</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local topography of optoelectronic substrates prepared by dry plasma etching process

Popis výsledku v původním jazyce

In this work, the etch rate of silicon carbide and aluminum oxide were studied as a function of the angle etching material and flow of plasma. Al2O3 and SiC are important materials in the design of optical and electronic devices and the topography of the wafers has a large influence on the device quality. Argon was applied for the dry etching of Al2O3 and SiC wafers. The wafer slope for highest obtained etch is defined. Atomic force microscopy was used to good morphology control of etched wafers. Statistical and correlation analysis was applied to estimate the surface perfection. Interferometry allowed to control etching rate.

Název v anglickém jazyce

Local topography of optoelectronic substrates prepared by dry plasma etching process

Popis výsledku anglicky

In this work, the etch rate of silicon carbide and aluminum oxide were studied as a function of the angle etching material and flow of plasma. Al2O3 and SiC are important materials in the design of optical and electronic devices and the topography of the wafers has a large influence on the device quality. Argon was applied for the dry etching of Al2O3 and SiC wafers. The wafer slope for highest obtained etch is defined. Atomic force microscopy was used to good morphology control of etched wafers. Statistical and correlation analysis was applied to estimate the surface perfection. Interferometry allowed to control etching rate.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

20201 - Electrical and electronic engineering

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Proceedings of SPIE

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Svazek periodika

9442

Číslo periodika v rámci svazku

9442

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

9442081-9442086

Kód UT WoS článku

000349403500007

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84922762882