Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APU111622" target="_blank" >RIV/00216305:26220/14:PU111622 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání
Popis výsledku v původním jazyce
Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalituzařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza bylapoužita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání.
Název v anglickém jazyce
Local topography of opto-electronic substrates prepared by plasma etching
Popis výsledku anglicky
The study performs comparison of the etch rates Al2O3 and SiC. These materials have a wide range of optoelectronic applications. Cleaning of the substrate and consequent preparation of the heterostructure could be combine in one process circle using thistechnology. Variation of the etching parameters allows to find the conditions of substrate processing which will satisfy performance requirements.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)