Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F16%3A00089508" target="_blank" >RIV/00216224:14740/16:00089508 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201532643/abstract" target="_blank" >http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201532643/abstract</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201532643" target="_blank" >10.1002/pssa.201532643</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction

Popis výsledku v původním jazyce

Deposition on patterned substrates is a promising method for obtaining high quality, strain and defect free heteroepitaxial layers. In this paper we investigate the crystalline structure of quasi-continuous Ge layers consisting of closely spaced microcrystals on a Si substrate patterned in the form of a regular net of lithographically defined squared based pillars. Lattice parameters, strain and degree of relaxation of the Ge microcrystals are measured by standard high-resolution X-ray diffraction using reciprocal space mapping. In particular, we focus on the impact of Si pillar size and spacing on the Ge crystal quality by analyzing how the bending of crystal lattice planes caused by thermal stress relaxation and random crystal tilts affect the width of the diffraction peaks.

Název v anglickém jazyce

Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction

Popis výsledku anglicky

Deposition on patterned substrates is a promising method for obtaining high quality, strain and defect free heteroepitaxial layers. In this paper we investigate the crystalline structure of quasi-continuous Ge layers consisting of closely spaced microcrystals on a Si substrate patterned in the form of a regular net of lithographically defined squared based pillars. Lattice parameters, strain and degree of relaxation of the Ge microcrystals are measured by standard high-resolution X-ray diffraction using reciprocal space mapping. In particular, we focus on the impact of Si pillar size and spacing on the Ge crystal quality by analyzing how the bending of crystal lattice planes caused by thermal stress relaxation and random crystal tilts affect the width of the diffraction peaks.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE

ISSN

1862-6300

e-ISSN

—

Svazek periodika

213

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

463-469

Kód UT WoS článku

000370188700038

EID výsledku v databázi Scopus

—