Figure of Merit kvaternárních monokrystalů (Sb0,75Bi0,25)2-xInxTe3

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F08%3A00007765" target="_blank" >RIV/00216275:25310/08:00007765 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Figure of Merit of quaternary (Sb0,75Bi0,25)2-xInxTe3 single crystals

Popis výsledku v původním jazyce

Single crystals of a quaternary system based on (Sb0,75Bi0,25)2Te3 doped with In were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of In were characterized by the measurements of electrical conductivity c, Hall coefficient RH(B||c), Seebeck coefficient S(Tc) and thermal conductivity (Tc). The measurements indicate that by incorporating In in (Sb0,75Bi0,25)2Te3 one lowers the concentration of free holes. This effect is explained in terms of a point defect model in the crystal lattice. We also discuss the temperature dependence of the thermoelectric figure of merit Z=S2/ of the samples. It is observed that low concentrations of In atoms in the (Sb0,75Bi0,25)2Te3 crystal lattice result in a substantial increase in the parameter Z inthe temperature region 100K - 300K.

Název v anglickém jazyce

Figure of Merit of quaternary (Sb0,75Bi0,25)2-xInxTe3 single crystals

Popis výsledku anglicky

Single crystals of a quaternary system based on (Sb0,75Bi0,25)2Te3 doped with In were prepared using the Bridgman technique. Samples with varying content of In were characterized by the measurements of electrical conductivity c, Hall coefficient RH(B||c), Seebeck coefficient S(Tc) and thermal conductivity (Tc). The measurements indicate that by incorporating In in (Sb0,75Bi0,25)2Te3 one lowers the concentration of free holes. This effect is explained in terms of a point defect model in the crystal lattice. We also discuss the temperature dependence of the thermoelectric figure of merit Z=S2/ of the samples. It is observed that low concentrations of In atoms in the (Sb0,75Bi0,25)2Te3 crystal lattice result in a substantial increase in the parameter Z inthe temperature region 100K - 300K.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

104

Číslo periodika v rámci svazku

104

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—