Near infrared quazi-omnidirectional reflector in chalcogenide glasses

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F09%3A00008310" target="_blank" >RIV/00216275:25310/09:00008310 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Near infrared quazi-omnidirectional reflector in chalcogenide glasses

Popis výsledku v původním jazyce

The quazi-omnidirectional reflector was designed as a planar quarter wave stack consisting of the alternating amorphous chalcogenide Ge25S75 and Sb40Se60 films. Photonic bandgap calculation of the intended reflector predicted 240 nm omnidirectional and 450 nm normal incidence first-order bandgaps centred near 1.55 lm for appropriate values of the index of refraction and thickness of the films. The TEM and HR-TEM images of the prepared 7.5 pairs reflector verified good periodicity, smooth interface and amorphous structure of the chalcogenide films deposited by thermal and flash evaporation, respectively. The optical reflectivity measurements revealed 98.8% normal incidence stopband of the reflector at 1.55 um. We also report the ellipsometry study of the prepared reflector. The TEM and ellipsometry studies confirmed the thickness variation of prepared individual layers to be ?7 and ?9 nm, respectively, compared to theoretical predictions.

Název v anglickém jazyce

Near infrared quazi-omnidirectional reflector in chalcogenide glasses

Popis výsledku anglicky

The quazi-omnidirectional reflector was designed as a planar quarter wave stack consisting of the alternating amorphous chalcogenide Ge25S75 and Sb40Se60 films. Photonic bandgap calculation of the intended reflector predicted 240 nm omnidirectional and 450 nm normal incidence first-order bandgaps centred near 1.55 lm for appropriate values of the index of refraction and thickness of the films. The TEM and HR-TEM images of the prepared 7.5 pairs reflector verified good periodicity, smooth interface and amorphous structure of the chalcogenide films deposited by thermal and flash evaporation, respectively. The optical reflectivity measurements revealed 98.8% normal incidence stopband of the reflector at 1.55 um. We also report the ellipsometry study of the prepared reflector. The TEM and ellipsometry studies confirmed the thickness variation of prepared individual layers to be ?7 and ?9 nm, respectively, compared to theoretical predictions.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Optical Materials

ISSN

0925-3467

e-ISSN

—

Svazek periodika

32

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—