Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Physico-chemical properties of Sb-rich Sb-Se system thin films for phase change memories

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F12%3A39896001" target="_blank" >RIV/00216275:25310/12:39896001 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Physico-chemical properties of Sb-rich Sb-Se system thin films for phase change memories

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The bulk samples of composition Sb90Se10, Sb85Se15 and Sb80Se20 were crystalline and consist of Sb and Sb2Se3 phases. The thin films were prepared from bulk powdered samples by flash evaporation. As-deposited films were amorphous. The optical bandgaps increased with increasing content of selenium. Values of refractive index were in range 5.37 to 5.75 (? = 1500 nm) for amorphous state and 6.11 to 6.74 for crystalline state. Activation energies of electrical conductivity of as-deposited films were in range 0.27 0.29 eV and they increased with increasing content of selenium. Large changes of optical reflectivity and electrical resistance due to crystallization showed that these materials can be potentially applied as active parts for data storage cells.

  • Název v anglickém jazyce

    Physico-chemical properties of Sb-rich Sb-Se system thin films for phase change memories

  • Popis výsledku anglicky

    The bulk samples of composition Sb90Se10, Sb85Se15 and Sb80Se20 were crystalline and consist of Sb and Sb2Se3 phases. The thin films were prepared from bulk powdered samples by flash evaporation. As-deposited films were amorphous. The optical bandgaps increased with increasing content of selenium. Values of refractive index were in range 5.37 to 5.75 (? = 1500 nm) for amorphous state and 6.11 to 6.74 for crystalline state. Activation energies of electrical conductivity of as-deposited films were in range 0.27 0.29 eV and they increased with increasing content of selenium. Large changes of optical reflectivity and electrical resistance due to crystallization showed that these materials can be potentially applied as active parts for data storage cells.

Klasifikace

  • Druh

    O - Ostatní výsledky

  • CEP obor

    CA - Anorganická chemie

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů