PŘÍPRAVA A CHARAKTERIZACE TRANSPORTNÍCH VLASTNOSTÍ Bi2-xCrxSe3

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F14%3A39902454" target="_blank" >RIV/00216275:25310/14:39902454 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

PŘÍPRAVA A CHARAKTERIZACE TRANSPORTNÍCH VLASTNOSTÍ Bi2-xCrxSe3

Popis výsledku v původním jazyce

Byla připravena řada monokrystalických vzorků složení Bi2-xCrxSe3 s nominální hodnotou x = 0 až 0,04. Všechny vzorky byly n-typu vodivosti. Z měření teplotních závislostí transportních vlastností v oblasti teplot od 80 K do 470 K vyplynulo, že se chrom v Bi2Se3 chová jako akceptor. S rostoucím obsahem chromu sledujeme pokles koncentrace elektronů. Pozoruhodná je skutečnost, že s rostoucím obsahem chromu byl pozorován výrazný nárůst pohyblivosti nositelů. Tento výsledek ukazuje na zvýšení relaxačního času volných nositelů, který je do značné míry dán především poklesem koncentrace rozptylových center - přirozených defektů. Tento efekt je vysvětlen modelem bodových poruch v krystalové mřížce Bi2-xCrxSe3. Z naměřených hodnot elektrické vodivosti s a Seebeckova koeficientu S byl vypočítán výkonový faktor sS2 a parametr termoelektrické účinnosti ZT = sS2T/k. Maximální hodnoty sS2 = 0,0014 WK-2m-1 dosáhl vzorek složení Bi1,97Cr0,03Se3 při teplotě 370 K. Vypočítaná hodnota parametru ZT = 0,17.

Název v anglickém jazyce

The preparationand characterization of transport properties of Bi2-xCrxSe3

Popis výsledku anglicky

It was prepared by a series of single crystal samples of the composition Bi2-xCrxSe3 with a nominal value of x = 0 to 0.04. All samples were n-type conductivity. From the measurement of the temperature dependences of transport properties in the temperature range from 80 K to 470 K showed that chromium Bi2Se3 behaves as an acceptor. With increasing chromium content is the reduction in the concentration of electrons. Noteworthy is the fact that with increasing chromium content, a significant increase in the mobility of carriers. This result shows to increase relaxation time of free carriers, which is largely due primarily to decrease the concentration of scattering centers - natural defects. This effect is explained by the model of point defects in the crystal lattice Bi2-xCrxSe3. From the measured values of the electrical conductivity and Seebeck coefficient S was calculated SS2 and power factor parameter of merit ZT = sS2T / k. Maximum values SS2 = 0.0014 WK-2 m-1 has reached the sample composition Bi1,97Cr0,03Se3 at 370 K. Calculated parameter value ZT = 0.17.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Sborník příspěvků Studentská vědecká odborná činnost 2013/2014

ISBN

978-80-7395-819-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

77-84

Název nakladatele

Univerzita Pardubice

Místo vydání

Pardubice

Místo konání akce

Pardubice

Datum konání akce

11. 6. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—