Vše
Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge-Sb-Se thin films

Identifikátory výsledku

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge-Sb-Se thin films

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Pulsed laser deposition was used to prepare amorphous thin films from (GeSe2)(100-x) (Sb2Se3)(x) system, where x is varying from 0 to 60. To study their photosensitivity under irradiation with energy close to band gap, a comparison of their optical properties (refractive index and band gap energy) before and after irradiation is performed in both, as-deposited and annealed states. In linear regime, annealed films seem to be photostable when x }= 30. In nonlinear regime, highest photoinduced threshold intensity values were found for films with x = 10, 16.7 and x = 30, 40. Thus, the highest photostability in both, linear and nonlinear regimes of irradiation, was observed for layers with x = 30 and 40. The structure of the films is discussed based on Raman scattering spectroscopy results.

  • Název v anglickém jazyce

    Photosensitivity of pulsed laser deposited Ge-Sb-Se thin films

  • Popis výsledku anglicky

    Pulsed laser deposition was used to prepare amorphous thin films from (GeSe2)(100-x) (Sb2Se3)(x) system, where x is varying from 0 to 60. To study their photosensitivity under irradiation with energy close to band gap, a comparison of their optical properties (refractive index and band gap energy) before and after irradiation is performed in both, as-deposited and annealed states. In linear regime, annealed films seem to be photostable when x }= 30. In nonlinear regime, highest photoinduced threshold intensity values were found for films with x = 10, 16.7 and x = 30, 40. Thus, the highest photostability in both, linear and nonlinear regimes of irradiation, was observed for layers with x = 30 and 40. The structure of the films is discussed based on Raman scattering spectroscopy results.

Klasifikace

  • Druh

    Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JH - Keramika, žáruvzdorné materiály a skla

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2015

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Optical Materials Express

  • ISSN

    2159-3930

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    5

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    13

  • Strana od-do

    781-793

  • Kód UT WoS článku

    000352293100013

  • EID výsledku v databázi Scopus

Základní informace

Druh výsledku

Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

Jx

CEP

JH - Keramika, žáruvzdorné materiály a skla

Rok uplatnění

2015