Amorphous Ge-As-Te thin films prepared by Pulsed Laser Deposition - A photostability study

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F15%3A39899853" target="_blank" >RIV/00216275:25310/15:39899853 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.5220/0005338301030107" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.5220/0005338301030107</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.5220/0005338301030107" target="_blank" >10.5220/0005338301030107</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Amorphous Ge-As-Te thin films prepared by Pulsed Laser Deposition - A photostability study

Popis výsledku v původním jazyce

Pulsed laser deposition was used for the fabrication of amorphous thin films from Ge-As-Te system with the aim to study their intrinsic photostability. Photostability of prepared layers was studied using spectroscopic ellipsometry within as-deposited aswell as relaxed layers. For irradiation, laser sources operating at three energies (1.17, 0.92 and 0.8 eV) in band gap region of the studied materials were employed. The lowest values of photorefraction (refractive index changes) accompanied with lowestchanges of band gap values present Ge20As20Te60 thin films, which are therefore considered as the layers with highest photostability, especially in relaxed state.

Název v anglickém jazyce

Amorphous Ge-As-Te thin films prepared by Pulsed Laser Deposition - A photostability study

Popis výsledku anglicky

Pulsed laser deposition was used for the fabrication of amorphous thin films from Ge-As-Te system with the aim to study their intrinsic photostability. Photostability of prepared layers was studied using spectroscopic ellipsometry within as-deposited aswell as relaxed layers. For irradiation, laser sources operating at three energies (1.17, 0.92 and 0.8 eV) in band gap region of the studied materials were employed. The lowest values of photorefraction (refractive index changes) accompanied with lowestchanges of band gap values present Ge20As20Te60 thin films, which are therefore considered as the layers with highest photostability, especially in relaxed state.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

PHOTOPTICS 2015, Proceedings of the 3rd International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology, Volume 1

ISBN

978-989-758-092-5

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

103-107

Název nakladatele

SciTePress - Science and Technology Publications

Místo vydání

Porto

Místo konání akce

Berlin

Datum konání akce

12. 3. 2015

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—