Photostability of pulsed laser deposited amorphous thin films from Ge-As-Te system
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F15%3A39899381" target="_blank" >RIV/00216275:25310/15:39899381 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1038/srep09310" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1038/srep09310</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1038/srep09310" target="_blank" >10.1038/srep09310</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Photostability of pulsed laser deposited amorphous thin films from Ge-As-Te system
Popis výsledku v původním jazyce
Amorphous thin films from Ge-As-Te system were prepared by pulsed laser deposition to study their intrinsic photostability, morphology, chemical composition, structure and optical properties. Photostability of fabricated layers was studied by spectroscopic ellipsometry within as-deposited as well as relaxed (annealed) layers. For irradiation, laser sources operating at three wavelengths in band gap region of the studied materials were employed. The results show that lowest values of photorefraction accompanied with lowest changes of band gap values were exhibited by Ge20As20Te60 thin films, which are therefore considered as the layers with highest photostability in relaxed state. The structure of the films is discussed based on Raman scattering spectroscopy data.
Název v anglickém jazyce
Photostability of pulsed laser deposited amorphous thin films from Ge-As-Te system
Popis výsledku anglicky
Amorphous thin films from Ge-As-Te system were prepared by pulsed laser deposition to study their intrinsic photostability, morphology, chemical composition, structure and optical properties. Photostability of fabricated layers was studied by spectroscopic ellipsometry within as-deposited as well as relaxed (annealed) layers. For irradiation, laser sources operating at three wavelengths in band gap region of the studied materials were employed. The results show that lowest values of photorefraction accompanied with lowest changes of band gap values were exhibited by Ge20As20Te60 thin films, which are therefore considered as the layers with highest photostability in relaxed state. The structure of the films is discussed based on Raman scattering spectroscopy data.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JH - Keramika, žáruvzdorné materiály a skla
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Scientific Reports
ISSN
2045-2322
e-ISSN
—
Svazek periodika
5
Číslo periodika v rámci svazku
March
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
"9310-1"-"9310-7"
Kód UT WoS článku
000351361100001
EID výsledku v databázi Scopus
—