Application of AFM in Microscopy and in Fabrication of Micro/Nanostructures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F01%3APU22527" target="_blank" >RIV/00216305:26210/01:PU22527 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Application of AFM in Microscopy and in Fabrication of Micro/Nanostructures

Popis výsledku v původním jazyce

In the paper AFM studies of microstructures etched by ion beams into Si and Au surfaces, and AFM local anodic oxidation of Ti thin films is presented. Using the AFM technique the etching limits of inert atoms in production of silicon and silver grids were found. It was proved that the height of Ti oxide lines fabricated by AFM increases linearly with the voltage between a tip and a sample. On the other hand, the half-width of the lines did not depend linearly on this voltage. The results are useful forrstudies of quantum effects in nanostructures and experiments in fabrication of nanoelectronic devices (e.g. SET).

Název v anglickém jazyce

Application of AFM in Microscopy and in Fabrication of Micro/Nanostructures

Popis výsledku anglicky

In the paper AFM studies of microstructures etched by ion beams into Si and Au surfaces, and AFM local anodic oxidation of Ti thin films is presented. Using the AFM technique the etching limits of inert atoms in production of silicon and silver grids were found. It was proved that the height of Ti oxide lines fabricated by AFM increases linearly with the voltage between a tip and a sample. On the other hand, the half-width of the lines did not depend linearly on this voltage. The results are useful forrstudies of quantum effects in nanostructures and experiments in fabrication of nanoelectronic devices (e.g. SET).

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

9th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA'01) Book of Abstracts

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

320-320

Název nakladatele

P. Marcus, A. Galtayries, N. Frémy

Místo vydání

Avignon, France

Místo konání akce

Avignon

Datum konání akce

30. 9. 2001

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—