Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Fabrication of nanostructures by AFM local Oxidation

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F01%3APU23138" target="_blank" >RIV/00216305:26210/01:PU23138 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Fabrication of nanostructures by AFM local Oxidation

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In the paper AFM studies of microstructures etched by ion beams into Si and Au surfaces, and AFM local anodic oxidation of Ti thin films is presented. Using the AFM technique the etching limits of inert atoms in production of silicon and silver grids were found. It was proved that the height of Ti oxide lines fabricated by AFM increases linearly with the voltage between a tip and a sample. On the other hand, the half-width of the lines did not depend linearly on this voltage. The results are useful forrstudies of quantum effects in nanostructures and experiments in fabrication of nanoelectronic devices (e.g. SET).

  • Název v anglickém jazyce

    Fabrication of nanostructures by AFM local Oxidation

  • Popis výsledku anglicky

    In the paper AFM studies of microstructures etched by ion beams into Si and Au surfaces, and AFM local anodic oxidation of Ti thin films is presented. Using the AFM technique the etching limits of inert atoms in production of silicon and silver grids were found. It was proved that the height of Ti oxide lines fabricated by AFM increases linearly with the voltage between a tip and a sample. On the other hand, the half-width of the lines did not depend linearly on this voltage. The results are useful forrstudies of quantum effects in nanostructures and experiments in fabrication of nanoelectronic devices (e.g. SET).

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2001

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Sborník příspěvků konference Nové trendy ve fyzice

  • ISBN

    80-214-1992-X

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    394-399

  • Název nakladatele

    FEI VUT v Brně

  • Místo vydání

    Brno

  • Místo konání akce

    Brno, FEI VUT

  • Datum konání akce

    15. 11. 2001

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku