Application of AFM in Microscopy and in Fabrication of Micro/Nanostructures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F02%3APU29189" target="_blank" >RIV/00216305:26210/02:PU29189 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Application of AFM in Microscopy and in Fabrication of Micro/Nanostructures

Popis výsledku v původním jazyce

In the paper AFM studies of microstructures etched by ion beams into Si and Au surfaces, and AFM local anodic oxidation of Ti thin films is presented. Using the AFM technique the etching limits of inert atoms in production of silicon and silver grids were found. It was proved that the height of Ti oxide lines fabricated by AFM increases linearly with the voltage between a tip and a sample. On the other hand, the half-width of the lines did not depend linearly on this voltage. The results are useful forrstudies of quantum effects in nanostructures and experiments in fabrication of nanoelectronic devices (e.g. SET).

Název v anglickém jazyce

Application of AFM in Microscopy and in Fabrication of Micro/Nanostructures

Popis výsledku anglicky

In the paper AFM studies of microstructures etched by ion beams into Si and Au surfaces, and AFM local anodic oxidation of Ti thin films is presented. Using the AFM technique the etching limits of inert atoms in production of silicon and silver grids were found. It was proved that the height of Ti oxide lines fabricated by AFM increases linearly with the voltage between a tip and a sample. On the other hand, the half-width of the lines did not depend linearly on this voltage. The results are useful forrstudies of quantum effects in nanostructures and experiments in fabrication of nanoelectronic devices (e.g. SET).

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20480" target="_blank" >ME 480: Aplikace rastrovací tunelovací mikroskopie a spektroskopie při studiu atomárních povrchových struktur</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2002

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Surface and Interface Analysis

ISSN

0142-2421

e-ISSN

—

Svazek periodika

34

Číslo periodika v rámci svazku

1

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

352-355

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—