Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Application of AFM in microscopy and fabrication of micro/nanostructures.

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68081731%3A_____%2F02%3A12020098" target="_blank" >RIV/68081731:_____/02:12020098 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Application of AFM in microscopy and fabrication of micro/nanostructures.

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Atomic force microscopy (AFM) studies of microstructures made by ion beams on Si and Au surfaces and by AFM local anodic oxidation on Ti thin filmsis presented in the paper. By using the AFM technique, etching limits of inert atoms in the production of silicon and silver grids were found. It was proved thet the height of Ti oxide lines fabricated by AFM increases linearly with the voltage between a tip and a sample. On the other hand, thehalf-width of the lines did not depend linearly on this voltage. The results are useful for experiments in the fabrication of nanoelectronic devices (e.g. single-electron transistors).

  • Název v anglickém jazyce

    Application of AFM in microscopy and fabrication of micro/nanostructures.

  • Popis výsledku anglicky

    Atomic force microscopy (AFM) studies of microstructures made by ion beams on Si and Au surfaces and by AFM local anodic oxidation on Ti thin filmsis presented in the paper. By using the AFM technique, etching limits of inert atoms in the production of silicon and silver grids were found. It was proved thet the height of Ti oxide lines fabricated by AFM increases linearly with the voltage between a tip and a sample. On the other hand, thehalf-width of the lines did not depend linearly on this voltage. The results are useful for experiments in the fabrication of nanoelectronic devices (e.g. single-electron transistors).

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2002

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface and interface analysis

  • ISSN

    0142-2421

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    34

  • Číslo periodika v rámci svazku

    1

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    352-355

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus