TOF-LEIS spektra Ga/Si: analýza tvaru píku.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F07%3APU70352" target="_blank" >RIV/00216305:26210/07:PU70352 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

TOF-LEIS spectra of Ga/Si: Peak shape analysis

Popis výsledku v původním jazyce

Low energy ion scattering (LEIS) is used to characterize Ga layers deposited onto Si(111)-(7x7) substrates at different deposition temperatures. The Ga/Si system exhibits a pronounced 3D island growth and thus is a suitable object to investigate the relation between LEIS-peak shapes and the morphology of thin films. It is shown that up to a certain critical depth (a few MLs) the single scattering component can be used as a measure of the number of surface Ga atoms per unit area. If a higher amount of Gais deposited, the single scattering model is not valid anymore and multiple scattering becomes significant. The Ga peak starts to be asymmetric with a well developed multiple scattering component. Such a component can be utilized for the observation ofthe morphology of the layers. It was found that the more intensive the 3D growth of adsorbed Ga atoms on the Si(111) substrate, the more pronounced is the multiple scattering yield for a given amount of Ga.

Název v anglickém jazyce

TOF-LEIS spectra of Ga/Si: Peak shape analysis

Popis výsledku anglicky

Low energy ion scattering (LEIS) is used to characterize Ga layers deposited onto Si(111)-(7x7) substrates at different deposition temperatures. The Ga/Si system exhibits a pronounced 3D island growth and thus is a suitable object to investigate the relation between LEIS-peak shapes and the morphology of thin films. It is shown that up to a certain critical depth (a few MLs) the single scattering component can be used as a measure of the number of surface Ga atoms per unit area. If a higher amount of Gais deposited, the single scattering model is not valid anymore and multiple scattering becomes significant. The Ga peak starts to be asymmetric with a well developed multiple scattering component. Such a component can be utilized for the observation ofthe morphology of the layers. It was found that the more intensive the 3D growth of adsorbed Ga atoms on the Si(111) substrate, the more pronounced is the multiple scattering yield for a given amount of Ga.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2007

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

ISSN

0168-583X

e-ISSN

—

Svazek periodika

265

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

569-575

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—