Surface analysis of epitaxially grown GeSn alloys with Sn contents between 15% and 18%

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F17%3APU123352" target="_blank" >RIV/00216305:26210/17:PU123352 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.6134" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/sia.6134</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.6134" target="_blank" >10.1002/sia.6134</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Surface analysis of epitaxially grown GeSn alloys with Sn contents between 15% and 18%

Popis výsledku v původním jazyce

Metastable GeSn layers with rather high Sn content between 15% and 18% grown on Si substrates by molecular beam epitaxy were analyzed for the morphological changes on a surface before and after reaching critical layer parameters (thickness, Sn content, and growth temperature) for surface roughening. Atomic-force microscopy investigations were performed as a function of thickness and separately for varying Sn concentrations in the GeSn layer. Epitaxial growth of metastable, uniform GeSn (15% Sn content) layers is obtained up to a critical thickness which increases from about 80 to above 200 nm by reducing the nominal growth temperature from 160 to 140 °C. Phase separation of the complete layer into tin-rich surface protrusions and a Ge-rich matrix takes place beyond the critical thickness.

Název v anglickém jazyce

Surface analysis of epitaxially grown GeSn alloys with Sn contents between 15% and 18%

Popis výsledku anglicky

Metastable GeSn layers with rather high Sn content between 15% and 18% grown on Si substrates by molecular beam epitaxy were analyzed for the morphological changes on a surface before and after reaching critical layer parameters (thickness, Sn content, and growth temperature) for surface roughening. Atomic-force microscopy investigations were performed as a function of thickness and separately for varying Sn concentrations in the GeSn layer. Epitaxial growth of metastable, uniform GeSn (15% Sn content) layers is obtained up to a critical thickness which increases from about 80 to above 200 nm by reducing the nominal growth temperature from 160 to 140 °C. Phase separation of the complete layer into tin-rich surface protrusions and a Ge-rich matrix takes place beyond the critical thickness.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Surface and Interface Analysis

ISSN

0142-2421

e-ISSN

1096-9918

Svazek periodika

49

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

297-302

Kód UT WoS článku

000397496800009

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84986258358