Near-field photoluminescence as high resolution diagnostics of semiconductor structures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F01%3APU23630" target="_blank" >RIV/00216305:26220/01:PU23630 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Near-field photoluminescence as high resolution diagnostics of semiconductor structures

Popis výsledku v původním jazyce

Scanning Near-field Optical Microscope, in which an uncoated single-mode fiber tip is used both as nanosource to excite the semiconductor sample and as nanoprobe to investigate characteristics of the structure and to pick up the photoluminescence (PL) reflected from the sample, is applied for the diagnostics of the defects in semiconductor devices. Using the high lateral resolution of the microscope with fast micro-photoluminiscence response, it is possible to locate non-luminescence defects in a multipple quantum well grown by molecular beam epitaxy. Near-field characteristics of measured spectral PL intensity are also discussed.

Název v anglickém jazyce

Near-field photoluminescence as high resolution diagnostics of semiconductor structures

Popis výsledku anglicky

Scanning Near-field Optical Microscope, in which an uncoated single-mode fiber tip is used both as nanosource to excite the semiconductor sample and as nanoprobe to investigate characteristics of the structure and to pick up the photoluminescence (PL) reflected from the sample, is applied for the diagnostics of the defects in semiconductor devices. Using the high lateral resolution of the microscope with fast micro-photoluminiscence response, it is possible to locate non-luminescence defects in a multipple quantum well grown by molecular beam epitaxy. Near-field characteristics of measured spectral PL intensity are also discussed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/OC%20523.40" target="_blank" >OC 523.40: Nanostruktury: Optické a elektrické charakteristiky</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2001

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of Materials structure and micromechanics of fracture

ISBN

80-24-14-1892-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

439-443

Název nakladatele

VUTIUM

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

27. 6. 2001

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—