Near-field optical imaging of carrier dynamics in silicon with superresolution

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU31773" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU31773 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Near-field optical imaging of carrier dynamics in silicon with superresolution

Popis výsledku v původním jazyce

The lifetime of excess carriers created by illumination of a semiconductor with a visible light is modified by the presence of defects, which may occur under or in the surface. The system detects the excess carries with an infrared (IR) light. Due to thefree carrier absorption as a dominant carrier interaction for used IR wavelength, the IR signal is decreased by the presence of excess carriers. The time-dependence of the IR signal variation is characteristic of the excess carrier lifetime. Characterisstic rate variations of carrier processes in silicon are imaged using near field scanning optical microscopy (NSOM) with high (<100 nm) spatial resolution. Moreover, the images can locate defects, reveal variations, and map the regions in which a recombination process is active.

Název v anglickém jazyce

Near-field optical imaging of carrier dynamics in silicon with superresolution

Popis výsledku anglicky

The lifetime of excess carriers created by illumination of a semiconductor with a visible light is modified by the presence of defects, which may occur under or in the surface. The system detects the excess carries with an infrared (IR) light. Due to thefree carrier absorption as a dominant carrier interaction for used IR wavelength, the IR signal is decreased by the presence of excess carriers. The time-dependence of the IR signal variation is characteristic of the excess carrier lifetime. Characterisstic rate variations of carrier processes in silicon are imaged using near field scanning optical microscopy (NSOM) with high (<100 nm) spatial resolution. Moreover, the images can locate defects, reveal variations, and map the regions in which a recombination process is active.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Scanning Probe Microscopy - 2003

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

63-65

Název nakladatele

Institute for Physics of microstructures RAS

Místo vydání

Nizhniy Novgorod, Russia

Místo konání akce

Nizhniy Novgorod

Datum konání akce

2. 3. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—