Near field scanning optical microscopy as an imaging tool for carrier process in silicon

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU36865" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU36865 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Near field scanning optical microscopy as an imaging tool for carrier process in silicon

Popis výsledku v původním jazyce

Characteristic time variations of carrier processes, such as the recombination of excess carriers, of oxidized silicon are measured as a function of position using near-field scanning optical microscopy (NSOM). Typical time constants from the region imaged agree well with those obtained by conventional spatial-averaging techniques for a wide range of samples. Images locate defects, reveal variations, and can map the regions in which a particular recombination process is active. The technique will be revviewed including the limits of resolution and signal strength, with illustrations from a variety of samples. Carrier diffusion in confined layers, such as SOI samples, will be discussed.

Název v anglickém jazyce

Near field scanning optical microscopy as an imaging tool for carrier process in silicon

Popis výsledku anglicky

Characteristic time variations of carrier processes, such as the recombination of excess carriers, of oxidized silicon are measured as a function of position using near-field scanning optical microscopy (NSOM). Typical time constants from the region imaged agree well with those obtained by conventional spatial-averaging techniques for a wide range of samples. Images locate defects, reveal variations, and can map the regions in which a particular recombination process is active. The technique will be revviewed including the limits of resolution and signal strength, with illustrations from a variety of samples. Carrier diffusion in confined layers, such as SOI samples, will be discussed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Advanced engineering design

ISBN

80-86059-35-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Název nakladatele

Process Engineering Publisher

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

1. 6. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—