Near-field optical diagnostics of carrier dynamics in semiconductor with superresolution

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU37327" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU37327 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Near-field optical diagnostics of carrier dynamics in semiconductor with superresolution

Popis výsledku v původním jazyce

Characteristic rate variations of carrier processes are imaged using near-field scanning optical microscopy. We couple both a visible pump and an infrared probe light through a subwavelength aperture to investigate the interband recombination and intraband diffusion of excess carriers in oxidized silicon. Typical values of the locally measured life time constants agree well with those obtained by conventional space-averaged techniques. Moreover, the images locate defects, reveal variations, and can maapthe regions in which a recombination process is active.

Název v anglickém jazyce

Near-field optical diagnostics of carrier dynamics in semiconductor with superresolution

Popis výsledku anglicky

Characteristic rate variations of carrier processes are imaged using near-field scanning optical microscopy. We couple both a visible pump and an infrared probe light through a subwavelength aperture to investigate the interband recombination and intraband diffusion of excess carriers in oxidized silicon. Typical values of the locally measured life time constants agree well with those obtained by conventional space-averaged techniques. Moreover, the images locate defects, reveal variations, and can maapthe regions in which a recombination process is active.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physics of low-dimensional structures

ISSN

0204-3467

e-ISSN

—

Svazek periodika

2003

Číslo periodika v rámci svazku

3/4

Stát vydavatele periodika

RU - Ruská federace

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

131-137

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—