Local optical imaging of electronic characteristics in semiconductors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU37385" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU37385 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Local optical imaging of electronic characteristics in semiconductors

Popis výsledku v původním jazyce

The continuous trend towards miniaturization of devices brings a new challenge for semiconductor studies: the demand for local rather than average material characterization. We report on optical imaging with superresolution in two different cases, whichshow the possibility of the Scanning Near-field Optical Microscopy (SNOM): dynamics of excess carriers in silicon and optically induced photocurrent in semiconductor structure The images locate defects, reveal variations, and also can map the regions inwhich a recombination process is active. Quantitative mapping of the excess carrier lifetime at sub-wavelength resolution better than 250 nm is now possible. Such measurements will give new insights into carrier transport and recombination processes in all types of semiconductors. On the other side, the comparative study of spatially resolved near-field photocurrent (NPC) spectra for high power laser diode arrays with double quantum well before and after degradation due to the aging proc

Název v anglickém jazyce

Local optical imaging of electronic characteristics in semiconductors

Popis výsledku anglicky

The continuous trend towards miniaturization of devices brings a new challenge for semiconductor studies: the demand for local rather than average material characterization. We report on optical imaging with superresolution in two different cases, whichshow the possibility of the Scanning Near-field Optical Microscopy (SNOM): dynamics of excess carriers in silicon and optically induced photocurrent in semiconductor structure The images locate defects, reveal variations, and also can map the regions inwhich a recombination process is active. Quantitative mapping of the excess carrier lifetime at sub-wavelength resolution better than 250 nm is now possible. Such measurements will give new insights into carrier transport and recombination processes in all types of semiconductors. On the other side, the comparative study of spatially resolved near-field photocurrent (NPC) spectra for high power laser diode arrays with double quantum well before and after degradation due to the aging proc

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Noise and fluctuation ICNF 2003

ISBN

80-239-1005-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

445-448

Název nakladatele

Neuveden

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Prague

Datum konání akce

18. 8. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—