Time-resolved contrast in near-field scanning optical microscopy of semiconductors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39859" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39859 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Time-resolved contrast in near-field scanning optical microscopy of semiconductors
Popis výsledku v původním jazyce
The lifetime local measurement of excess carriers in silicon samples are described. The work was performed with the implementation of scanning near-field optical microscopy (SNOM). We present here an alternative development of SNOM: its implementation asan imaging tool to study the dynamics of excess carriers in semiconductor devices. We concentrate on obtaining images for which the contrast mechanism is a time-dependent property of the sample, and attempt to relate them to important sample characterisstics.
Název v anglickém jazyce
Time-resolved contrast in near-field scanning optical microscopy of semiconductors
Popis výsledku anglicky
The lifetime local measurement of excess carriers in silicon samples are described. The work was performed with the implementation of scanning near-field optical microscopy (SNOM). We present here an alternative development of SNOM: its implementation asan imaging tool to study the dynamics of excess carriers in semiconductor devices. We concentrate on obtaining images for which the contrast mechanism is a time-dependent property of the sample, and attempt to relate them to important sample characterisstics.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of International conference Nano 03
ISBN
80-214-2527-X
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
201-205
Název nakladatele
Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
21. 11. 2003
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—