Stochastic model for random tegraph signals in MOSFETS

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F03%3APU39342" target="_blank" >RIV/00216305:26220/03:PU39342 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Stochastic model for random tegraph signals in MOSFETS

Popis výsledku v původním jazyce

This paper investigates the emission and capture kinetics of random telegraf signals (RTS)in MOSFETs.The emphasis is on those signals showing a capture process which deviates from the standard Shockley-Read-Hall kinetics corresponding to a quadratic dependence on the number of carriers or on the drain current. A modified two-step approach is proposed which includes the capture of a carrier by trap located at the Si-SiO2 interface, folloved by a tunnelling process of the trapped carrier between the interrface trap and a trap located in SiO2 layer.

Název v anglickém jazyce

Stochastic model for random tegraph signals in MOSFETS

Popis výsledku anglicky

This paper investigates the emission and capture kinetics of random telegraf signals (RTS)in MOSFETs.The emphasis is on those signals showing a capture process which deviates from the standard Shockley-Read-Hall kinetics corresponding to a quadratic dependence on the number of carriers or on the drain current. A modified two-step approach is proposed which includes the capture of a carrier by trap located at the Si-SiO2 interface, folloved by a tunnelling process of the trapped carrier between the interrface trap and a trap located in SiO2 layer.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20605" target="_blank" >ME 605: Šum HEMT pro globální komunikace</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceeding of the 18th Forum of Science and Technology of Fluctuations

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

Meisei University Tokyo

Místo vydání

Tokyo

Místo konání akce

Tokyo

Datum konání akce

28. 11. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—