Závislost Hoogeova parametru na střední volné dráze v materiálech

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU52207" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU52207 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Dependence of Hooge constant on mean free path of materials

Popis výsledku v původním jazyce

The Hooge parameters of compound semiconductors are found to be in inverse proportional to the mean free paths of materials. The newly developed model of 1/f phonon energy partition fluctuation in thermal equilibrium predicts the value of Hooge parameteras alfaH = a/lambda, the ratio of the lattice constant a and the mean free path lambda. Several reported experimental results on alfaH for very pure semiconductors are found on the a/lambda line. Experimental verification is given by measuring noise in InGaAs/InAlAs heterostructure, where optical phonon effects can be observed due to negligible impurity scattering. The Hooge parameter of about 1 in p-InGaAs and 10-3 to 10-5 in n-InGaAs reflects the two order difference in the mobility and correspondin glambda values.

Název v anglickém jazyce

Dependence of Hooge constant on mean free path of materials

Popis výsledku anglicky

The Hooge parameters of compound semiconductors are found to be in inverse proportional to the mean free paths of materials. The newly developed model of 1/f phonon energy partition fluctuation in thermal equilibrium predicts the value of Hooge parameteras alfaH = a/lambda, the ratio of the lattice constant a and the mean free path lambda. Several reported experimental results on alfaH for very pure semiconductors are found on the a/lambda line. Experimental verification is given by measuring noise in InGaAs/InAlAs heterostructure, where optical phonon effects can be observed due to negligible impurity scattering. The Hooge parameter of about 1 in p-InGaAs and 10-3 to 10-5 in n-InGaAs reflects the two order difference in the mobility and correspondin glambda values.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proc. of 2nd SPIE Symposium Fluctuation and Noise in Materials

ISBN

0-8194-5392-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

310-319

Název nakladatele

The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers

Místo vydání

USA

Místo konání akce

Maspalomas, Gran Canaria

Datum konání akce

26. 5. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—