Ultimate Absolute Hooge Parameter for Semiconductors and Graphene

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F15%3APU117327" target="_blank" >RIV/00216305:26620/15:PU117327 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=7288616" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=7288616</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/ICNF.2015.7288616" target="_blank" >10.1109/ICNF.2015.7288616</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ultimate Absolute Hooge Parameter for Semiconductors and Graphene

Popis výsledku v původním jazyce

The temperature dependence of the Hooge parameter alfaH for both n- and p-type InGaAs heterostructures with as-grown non-alloyed ohmic contacts shows good agreement with that estimated from the harmonic coupling model; alfaH is given by aa/lambda, where aa is the lattice constant and lambda is the mean free path of the semiconductor material. Experimental results for several other semiconducting materials normalized by the mobility ratio also verify the validity of the model. We are now able to estimate the Hooge parameter theoretically from only the material parameters, whereas the experimental results are scattered over several orders of magnitude.

Název v anglickém jazyce

Ultimate Absolute Hooge Parameter for Semiconductors and Graphene

Popis výsledku anglicky

The temperature dependence of the Hooge parameter alfaH for both n- and p-type InGaAs heterostructures with as-grown non-alloyed ohmic contacts shows good agreement with that estimated from the harmonic coupling model; alfaH is given by aa/lambda, where aa is the lattice constant and lambda is the mean free path of the semiconductor material. Experimental results for several other semiconducting materials normalized by the mobility ratio also verify the validity of the model. We are now able to estimate the Hooge parameter theoretically from only the material parameters, whereas the experimental results are scattered over several orders of magnitude.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/ED1.1.00%2F02.0068" target="_blank" >ED1.1.00/02.0068: CEITEC - central european institute of technology</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Noise and Fluctuations (ICNF)

ISBN

978-1-4673-8335-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1-4

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

Neuveden

Místo konání akce

Sian (Xian)

Datum konání akce

2. 6. 2015

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000380427600081